Capacidade | 8GB-256GB |
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Acordo | HS400 |
Velocidade lida | Até 330 MB/s |
Escreva a velocidade | Até 240 MB/s |
Temperatura de funcionamento | -40°C~+85°C/-45°C~+105°C |
Capacidade | 8GB-512GB |
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Utilizado para | Telefone inteligente/ placa-mãe incorporada/tablet PC |
Velocidade lida | Até 330 MB/s |
Escreva a velocidade | Até 240 MB/s |
Temperatura de funcionamento | -25°C~+85°C |
Temperatura de funcionamento | -25°C a +85°C |
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NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
Cores | Negro |
interface | HS400, HS200, HS, DDR |
Aleatório escreva a velocidade | Até 10 000 IOPS |
Capacidade | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |
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Qualidade | 100% de origem |
Aleatório escreva a velocidade | Até 10 000 IOPS |
Voltagem | 2.7V-3.6V |
Cores | Negro |
NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
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WAFER | Wafer KIOXIA de qualidade industrial |
Temperatura de funcionamento | -25°C a +85°C |
padrão | EMMC 5.1 |
Protocolo | HS400 |
Protocolo | HS400 |
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Voltagem | 2.7V-3.6V |
Características | Nivelação avançada de desgaste, gestão de blocos defeituosos, suporte TRIM, proteção contra perdas d |
Fabricante | PÁGINA |
Cores | Negro |
Temperatura de funcionamento | -25°C a +85°C |
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NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
Cores | Negro |
interface | HS400, HS200, HS, DDR |
Aleatório escreva a velocidade | Até 10 000 IOPS |
Fabricante | PÁGINA |
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Temperatura de funcionamento | -25°C a +85°C |
Protocolo | HS400 |
NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
Aleatório escreva a velocidade | Até 10 000 IOPS |
Fabricante | PÁGINA |
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Protocolo | HS400 |
Voltagem | 2.7V-3.6V |
interface | HS400, HS200, HS, DDR |
Características | Nivelação avançada de desgaste, gestão de blocos defeituosos, suporte TRIM, proteção contra perdas d |
WAFER | Wafer KIOXIA de qualidade industrial |
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Qualidade | 100% de origem |
Características | Nivelação avançada de desgaste, gestão de blocos defeituosos, suporte TRIM, proteção contra perdas d |
Condição | Novos |
Capacidade | 8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB, 256GB, 512GB |